光泵浦太赫兹探测(Optical-pump Terahertz-probe)光谱，用于测量半导体材料在光激发后非平衡态载流子的动力学过程，在亚皮秒的时间尺度追踪光生电子的寿命、电子浓度、散射时间等关键参数。光泵浦太赫兹探测光谱的基本原理是，一束飞秒光激发半导体材料产生光生电子，在一定的延迟时间后，另一束太赫兹脉冲和光生电子相互作用，表征光生电子的动力学性质。测量中，样品一般为半导体材料、新型光电材料等。

        典型的测量结果如下图，下图为砷化镉材料的光泵浦太赫兹探测光谱测量结果，从图中可见砷化镉的自由电子寿命约为17 ps。

    图一  不同泵浦功率下砷化镉材料的光泵浦太赫兹探测光谱